目前节能省电成为趋势,日本多家电子大厂纷纷加入发展功率半导体行列,其中东芝(Toshiba)将生产电源效率更高的功率半导体,而为了在成长中的市场先行卡位,其他多家厂商也已开始行动。
东芝将在2011年度推出高耐压及低耐压的MOSFET,并利用单磊晶(single epi)构造的超接面(Super-junction)技术降低漏电,进而获得更高的电源效率。此外,东芝也计划逐步将目前6吋的晶圆产线改成8吋厂,以提高生产效率。
东芝预计在2013年将有80%的功率半导体产自8吋晶圆厂,由于功率半导体的封装测试成本占整体费用4成,故其基本方针将为提高委外代工比重,首先将2012年的委外比重提高到生产量的80%,至2013年则会来到90%。
富士电机将自2012年5月起在其位于日本山梨县的山梨制作所,生产绝缘栅双极电晶体(Insulated Gate Bipolar Transistor;IGBT),产线启用后,该公司的功率半导体产能将可提高14%。
另外,富士电机也将投资185亿日圆(约2.4亿美元)用于功率半导体产线,并同时导入8吋晶圆产线。
瑞萨电子则预备缩小消费性电子用的功率半导体,并增加用于汽车及智慧电网相关产品的种类。
根据野村证券金融经济研究所!预估,全球功率半导体市场在2013年将达到165亿美元规模,较2009年成长64%。碳化矽(SiC)因其省电效果,可望于2015年代替矽,成为市场主流。